MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF4905LPBF, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-262 de 3 pines

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Código RS:
650-3662
Nº ref. fabric.:
IRF4905LPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

74A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-262

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Tensión directa Vf

-1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

10.54mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83 mm

Estándar de automoción

No

Distrelec Product Id

304-29-285

MOSFET Infineon serie HEXFET, -70A máxima corriente de drenaje continua, 3,8W máxima disipación de potencia - IRF4905LPBF


Este MOSFET de Infineon presenta una configuración de canal P y es capaz de manejar -70 A de corriente de drenaje continua con una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V. Está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, especialmente en circuitos electrónicos que requieren una gestión eficaz de la energía y una alta eficiencia. Es adecuado para usuarios de los sectores de la automatización y la electrónica, ya que ofrece un funcionamiento fiable en diversos entornos.

Características y ventajas


• Mayor rendimiento a altas temperaturas, hasta +175°C

• RDS(on) bajo para reducir las pérdidas de potencia durante el funcionamiento

• Capacidad de conmutación rápida para mejorar la eficacia

• Tolera condiciones de avalancha repetitivas sin fallar

• Características de carga de puerta eficaces para mejorar la capacidad de respuesta del circuito

Aplicaciones


• Se utiliza en circuitos de gestión de potencia para dispositivos de bajo consumo

• Ideal para el control de motores de corriente continua sin escobillas

• Aplicable en electrónica de automoción para aumentar la fiabilidad

• Adecuado para sistemas de automatización industrial que requieren componentes robustos

¿Qué tipo de tensión se puede manejar durante el funcionamiento?


Puede manejar una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de tensión moderada a alta.

¿Este aparato puede funcionar a temperaturas elevadas?


Sí, tiene un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a +175 °C, lo que le permite funcionar en condiciones extremas.

¿Cómo beneficia la baja RDS(on) al diseño de circuitos?


El bajo RDS(on) reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor generación de calor en aplicaciones de potencia.

¿Es compatible este componente con los diseños típicos de placas de circuito impreso?


Sí, está diseñado para el montaje a través de orificios, lo que permite una integración perfecta en los diseños de PCB estándar utilizados en diversos diseños electrónicos.

¿Cuáles son los valores de tensión umbral de puerta de este MOSFET?


El voltaje umbral de puerta máximo es de 4V, y el mínimo de 2V, lo que garantiza que tu circuito conmute correctamente a voltajes bajos.

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