MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 38 A, Mejora, I2PAK (TO-262) de 3 pines

Código RS:: 650-3707
Nº ref. fabric.:: IRF5210LPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 38 A, Mejora, I2PAK (TO-262) de 3 pines

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Código RS:: 650-3707
Nº ref. fabric.:: IRF5210LPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	38A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	I2PAK (TO-262)
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	60mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.6V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	170W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	150nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.54mm
	Certificaciones y estándares	Lead-Free
	Anchura	4.69 mm
	Altura	10.54mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 38A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado I2PAK (TO-262)
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.6V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 170W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.54mm
	Certificaciones y estándares Lead-Free
	Anchura 4.69 mm
	Altura 10.54mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon

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MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 38 A, Mejora, I2PAK (TO-262) de 3 pines

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