MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- Código RS:
- 913-3913
- Nº ref. fabric.:
- IRF4905LPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
59,15 €
(exc. IVA)
71,55 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 900 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,183 € | 59,15 € |
| 100 - 200 | 0,923 € | 46,15 € |
| 250 - 450 | 0,891 € | 44,55 € |
| 500 - 950 | 0,868 € | 43,40 € |
| 1000 + | 0,847 € | 42,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 913-3913
- Nº ref. fabric.:
- IRF4905LPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.8W | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 10.54mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.8W | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 10.54mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, -70A máxima corriente de drenaje continua, 3,8W máxima disipación de potencia - IRF4905LPBF
Este MOSFET de Infineon presenta una configuración de canal P y es capaz de manejar -70 A de corriente de drenaje continua con una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V. Está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, especialmente en circuitos electrónicos que requieren una gestión eficaz de la energía y una alta eficiencia. Es adecuado para usuarios de los sectores de la automatización y la electrónica, ya que ofrece un funcionamiento fiable en diversos entornos.
Características y ventajas
• Mayor rendimiento a altas temperaturas, hasta +175°C
• RDS(on) bajo para reducir las pérdidas de potencia durante el funcionamiento
• Capacidad de conmutación rápida para mejorar la eficacia
• Tolera condiciones de avalancha repetitivas sin fallar
• Características de carga de puerta eficaces para mejorar la capacidad de respuesta del circuito
Aplicaciones
• Se utiliza en circuitos de gestión de potencia para dispositivos de bajo consumo
• Ideal para el control de motores de corriente continua sin escobillas
• Aplicable en electrónica de automoción para aumentar la fiabilidad
• Adecuado para sistemas de automatización industrial que requieren componentes robustos
¿Qué tipo de tensión se puede manejar durante el funcionamiento?
Puede manejar una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de tensión moderada a alta.
¿Este aparato puede funcionar a temperaturas elevadas?
Sí, tiene un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a +175 °C, lo que le permite funcionar en condiciones extremas.
¿Cómo beneficia la baja RDS(on) al diseño de circuitos?
El bajo RDS(on) reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor generación de calor en aplicaciones de potencia.
¿Es compatible este componente con los diseños típicos de placas de circuito impreso?
Sí, está diseñado para el montaje a través de orificios, lo que permite una integración perfecta en los diseños de PCB estándar utilizados en diversos diseños electrónicos.
¿Cuáles son los valores de tensión umbral de puerta de este MOSFET?
El voltaje umbral de puerta máximo es de 4V, y el mínimo de 2V, lo que garantiza que tu circuito conmute correctamente a voltajes bajos.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, I2PAK (TO-262) de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V TO-262
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, I2PAK (TO-262) de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V TO-262
- MOSFET VDSS 55 V TO-262 de 3 pines