MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF4905PBF, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 540-9799
- Nº ref. fabric.:
- IRF4905PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
2,60 €
(exc. IVA)
3,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- 74 unidad(es) disponible(s) para enviar
- Disponible(s) 371 unidad(es) más para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,60 € |
| 10 - 24 | 2,48 € |
| 25 + | 2,38 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 540-9799
- Nº ref. fabric.:
- IRF4905PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 8.77mm | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 8.77mm | ||
Anchura 4.69mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 74 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF4905PBF
Este MOSFET ofrece una solución versátil para la gestión de potencia en diversas aplicaciones industriales. Está diseñado para ofrecer una gran eficacia y fiabilidad, por lo que resulta esencial para los profesionales de los sectores electrónico y eléctrico. Gracias a sus sólidas características de rendimiento, este producto mejora el diseño de circuitos y garantiza un funcionamiento óptimo en entornos difíciles.
Características y ventajas
• Alta capacidad de corriente de drenaje continua de 74 A para aplicaciones exigentes
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V permite una gestión eficaz de la energía
• La baja resistencia a la conexión de 20mΩ mejora la eficiencia energética
• Diseñado como un MOSFET de modo de mejora para un control preciso
• Utiliza un encapsulado TO-220AB para facilitar el montaje y la integración
Aplicaciones
• Se utiliza en convertidores CC-CC para una conversión eficiente de la energía
• Ideal para el control de motores que requieren una gestión actual sustancial
• Empleado en fuentes de alimentación para un funcionamiento más ágil
• Adecuado para la gestión térmica en entornos de alta carga
• Se utiliza en sistemas de automatización para una conmutación fiable
¿Cómo beneficia la baja resistencia de conexión al diseño de circuitos?
La reducción de la resistencia a la conexión minimiza las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia energética general y el rendimiento, algo vital en aplicaciones de alta corriente.
¿Qué significa utilizar un encapsulado TO-220AB?
El encapsulado TO-220AB permite una disipación eficaz del calor a la vez que facilita la instalación, lo que lo convierte en la opción preferida en aplicaciones industriales.
¿Puede este componente soportar entornos de alta temperatura?
Sí, funciona eficazmente a temperaturas de hasta +175°C, apto para aplicaciones rigurosas.
¿Qué tipo de aplicaciones requieren la elevada corriente de drenaje continua de este MOSFET?
La alta corriente de drenaje continua es adecuada para aplicaciones como accionamientos de motores, convertidores de potencia y otros sistemas que requieren un manejo robusto de la potencia.
¿Cómo influye la tensión de umbral de puerta en su rendimiento?
Una tensión de umbral de puerta que oscila entre 2 V y 4 V garantiza un comportamiento de conmutación fiable, contribuyendo a un control preciso en diversos circuitos electrónicos.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines