MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF4905PBF, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
540-9799
Nº ref. fabric.:
IRF4905PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

74A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.54mm

Anchura

4.69 mm

Altura

8.77mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 74 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF4905PBF


Este MOSFET ofrece una solución versátil para la gestión de potencia en diversas aplicaciones industriales. Está diseñado para ofrecer una gran eficacia y fiabilidad, por lo que resulta esencial para los profesionales de los sectores electrónico y eléctrico. Gracias a sus sólidas características de rendimiento, este producto mejora el diseño de circuitos y garantiza un funcionamiento óptimo en entornos difíciles.

Características y ventajas


• Alta capacidad de corriente de drenaje continua de 74 A para aplicaciones exigentes

• La tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V permite una gestión eficaz de la energía

• La baja resistencia a la conexión de 20mΩ mejora la eficiencia energética

• Diseñado como un MOSFET de modo de mejora para un control preciso

• Utiliza un encapsulado TO-220AB para facilitar el montaje y la integración

Aplicaciones


• Se utiliza en convertidores CC-CC para una conversión eficiente de la energía

• Ideal para el control de motores que requieren una gestión actual sustancial

• Empleado en fuentes de alimentación para un funcionamiento más ágil

• Adecuado para la gestión térmica en entornos de alta carga

• Se utiliza en sistemas de automatización para una conmutación fiable

¿Cómo beneficia la baja resistencia de conexión al diseño de circuitos?


La reducción de la resistencia a la conexión minimiza las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia energética general y el rendimiento, algo vital en aplicaciones de alta corriente.

¿Qué significa utilizar un encapsulado TO-220AB?


El encapsulado TO-220AB permite una disipación eficaz del calor a la vez que facilita la instalación, lo que lo convierte en la opción preferida en aplicaciones industriales.

¿Puede este componente soportar entornos de alta temperatura?


Sí, funciona eficazmente a temperaturas de hasta +175°C, apto para aplicaciones rigurosas.

¿Qué tipo de aplicaciones requieren la elevada corriente de drenaje continua de este MOSFET?


La alta corriente de drenaje continua es adecuada para aplicaciones como accionamientos de motores, convertidores de potencia y otros sistemas que requieren un manejo robusto de la potencia.

¿Cómo influye la tensión de umbral de puerta en su rendimiento?


Una tensión de umbral de puerta que oscila entre 2 V y 4 V garantiza un comportamiento de conmutación fiable, contribuyendo a un control preciso en diversos circuitos electrónicos.

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