MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF9Z24NPBF, VDSS 55 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

0,49 €

(exc. IVA)

0,59 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 27 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
  • Disponible(s) 106 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
  • Disponible(s) 369 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 240,49 €
25 - 490,41 €
50 - 990,38 €
100 - 2490,36 €
250 +0,34 €

*precio indicativo

Código RS:
541-0799
Número de artículo Distrelec:
303-41-312
Nº ref. fabric.:
IRF9Z24NPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

175mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.54mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.69 mm

Altura

8.77mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 12 A, disipación de potencia máxima de 45 W - IRF9Z24NPBF


Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para una gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones. Con una configuración de canal P, es muy adecuado para la conmutación controlada y el flujo de corriente mejorado. El producto desempeña un papel crucial en el accionamiento de cargas de alta potencia, garantizando un rendimiento constante y estabilidad térmica en condiciones difíciles.

Características y ventajas


• Corriente de drenaje continua máxima de 12 A

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V

• Bajo RDS(on) de 175mΩ para reducir la pérdida de potencia

• Funciona tanto con tensión de puerta-fuente negativa como positiva

Aplicaciones


• Se utiliza en sistemas de gestión de la energía para la automatización

• Empleado en fuentes de alimentación conmutadas para electrónica

• Beneficioso en amplificadores de audio para mejorar el rendimiento

• Común en varios aparatos electrónicos de consumo para un uso eficiente de la energía

¿Cuál es la carga de puerta típica para un rendimiento óptimo?


La carga de puerta típica es de 19nC a una tensión puerta-fuente de 10V, lo que proporciona unas características de conmutación eficaces.

¿Cómo afecta el tipo de canal a la funcionalidad?


Como MOSFET de canal P, permite una mejor integración en aplicaciones de conmutación de lado alto, ampliando los posibles escenarios de uso en circuitos de potencia.

¿Qué importancia tiene el intervalo de temperaturas?


El rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C garantiza la fiabilidad en diversos entornos, lo que lo hace versátil para distintas aplicaciones industriales.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?


Sí, la combinación de baja carga de puerta y resistencia lo hace apropiado para aplicaciones de alta frecuencia, mejorando la eficiencia del rendimiento.

¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta para la instalación?


Garantice una correcta gestión térmica y un montaje adecuado para facilitar una disipación eficaz del calor, lo que puede aumentar la longevidad y la fiabilidad del funcionamiento.

Enlaces relacionados