MOSFET Infineon IRF9Z34NPBF, VDSS 55 V, ID 19 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 919-4867
Nº ref. fabric.:: IRF9Z34NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF9Z34NPBF, VDSS 55 V, ID 19 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (En un Tubo de 50)

0,659 €

(exc. IVA)

0,797 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	0,659 €	32,95 €
100 - 200	0,488 €	24,40 €
250 - 450	0,455 €	22,75 €
500 - 1200	0,422 €	21,10 €
1250 +	0,395 €	19,75 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-4867
Nº ref. fabric.:: IRF9Z34NPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	68 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	35 nC a 10 V
Longitud	10.54mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.69mm
Material del transistor	Si
Altura	8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C