MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 919-4867
Nº ref. fabric.:: IRF9Z34NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	0,342 €	17,10 €
100 - 200	0,303 €	15,15 €
250 - 450	0,295 €	14,75 €
500 - 1200	0,287 €	14,35 €
1250 +	0,28 €	14,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-4867
Nº ref. fabric.:: IRF9Z34NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	19A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	100mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.6V
	Disipación de potencia máxima Pd	68W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	35nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.54mm
	Altura	8.77mm
	Anchura	4.69 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 19A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.6V
	Disipación de potencia máxima Pd 68W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.54mm
	Altura 8.77mm
	Anchura 4.69 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

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COO (País de Origen):: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 19 A, disipación de potencia máxima de 68 W - IRF9Z34NPBF

Este MOSFET de canal P está diseñado para ofrecer un rendimiento constante en diversas aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continua nominal de 19 A y una tensión de drenaje-fuente de 55 V, es adecuado para la automatización y la gestión de la energía en sistemas electrónicos modernos. Sus sólidas características térmicas permiten su funcionamiento en entornos difíciles.

Características y ventajas

• La alta capacidad de corriente satisface requisitos de carga importantes

• La disipación de potencia máxima de 68 W mejora la durabilidad

• El diseño del modo de mejora permite una conmutación eficiente

• La baja carga de la puerta permite un funcionamiento más rápido

• Sus eficaces características térmicas garantizan un rendimiento estable a temperaturas elevadas

• El encapsulado TO-220AB ofrece una cómoda integración en los circuitos

Aplicaciones

• Adecuado para circuitos de alimentación que priorizan la eficiencia

• Perfecto para el control de motores en sistemas de automatización

• Apropiado para escenarios de conmutación de alta frecuencia

• Se emplea en sistemas de gestión de la energía para mejorar el rendimiento

¿Cuál es la temperatura máxima para este MOSFET?

Puede funcionar a una temperatura máxima de +175 °C manteniendo la eficiencia y la fiabilidad.

¿Cómo gestiona las variaciones de tensión puerta-fuente?

Admite una tensión puerta-fuente máxima de ±20 V, lo que proporciona flexibilidad en el diseño de circuitos.

¿Qué importancia tiene su baja resistencia drenador-fuente?

Una resistencia de drenaje-fuente máxima de 100 mΩ aumenta la eficiencia energética y reduce la producción de calor.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de alta frecuencia?

Sí, admite conmutación rápida gracias a su baja carga de puerta de 35 nC a 10V.

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.