MOSFET, N-Canal Infineon IRF2805PBF, VDSS 55 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 784-0274
- Número de artículo Distrelec:
- 303-41-270
- Nº ref. fabric.:
- IRF2805PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 784-0274
- Número de artículo Distrelec:
- 303-41-270
- Nº ref. fabric.:
- IRF2805PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 16.51mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 16.51mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 75 A, disipación de potencia máxima de 330 W - IRF2805PBF
Este MOSFET de potencia ofrece un excelente rendimiento para diversas aplicaciones electrónicas. Sus robustas especificaciones están diseñadas para entornos industriales, garantizando tanto la fiabilidad como la eficiencia. Con una baja resistencia a la conexión, este componente admite una alta capacidad de corriente, lo que lo hace adecuado para circuitos avanzados.
Características y ventajas
• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 75 A
• Mejora la eficiencia con un bajo RDS(on) de 4,7mΩ
• Compatible con tensiones de fuente de puerta de +20 V/-20 V para una mayor flexibilidad
• Capaz de velocidades de conmutación rápidas para satisfacer las necesidades de rendimiento dinámico
• Admite el manejo repetitivo de avalanchas para una mayor resistencia operativa
Aplicaciones
• Se utiliza en accionamientos de motores industriales para un control eficaz de la potencia
• Adecuado para la gestión de la energía en sistemas de automatización
• Utilizados en sistemas de energía renovable para una conmutación eficiente
• Utilizado en herramientas eléctricas duraderas y de alto rendimiento
• Aplicable en sistemas de gestión de baterías para vehículos eléctricos
¿Cuál es la temperatura máxima que puede soportar este componente?
Puede funcionar en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C para ofrecer un rendimiento en condiciones extremas.
¿Cómo gestiona este MOSFET las aplicaciones de alta corriente?
Está diseñado para gestionar una corriente de drenaje continua de 75 A, lo que lo hace adecuado para grandes demandas de corriente.
¿Puede utilizarse en aplicaciones con requisitos de conmutación rápida?
Sí, este MOSFET admite velocidades de conmutación rápidas, ideales para aplicaciones que requieren un rendimiento dinámico.
¿Es adecuado este dispositivo para su uso en inversores de potencia?
Sí, su estabilidad térmica y su capacidad para manejar altas corrientes lo hacen apropiado para aplicaciones de inversores de potencia en sistemas de energías renovables.
¿Qué implicaciones tiene su baja on-resistencia?
El bajo RDS(on) reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que contribuye a mejorar la eficiencia y el rendimiento térmico.
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