MOSFET Infineon IPP048N04NGXKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 892-2346
Nº ref. fabric.:: IPP048N04NGXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP048N04NGXKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

230 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,496 €

(exc. IVA)

0,60 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 +	0,496 €	4,96 €

*precio indicativo

Código RS:: 892-2346
Nº ref. fabric.:: IPP048N04NGXKSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	79 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	4.572mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	31 nC a 10 V
Longitud	10.36mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	15.95mm
Tensión de diodo directa	0.89V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C