MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP048N04NGXKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 165-8112
- Nº ref. fabric.:
- IPP048N04NGXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-8112
- Nº ref. fabric.:
- IPP048N04NGXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Tensión directa Vf | 0.89V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 15.95mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Tensión directa Vf 0.89V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 15.95mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 70 A, disipación de potencia máxima de 79 W - IPP048N04NGXKSA1
Este MOSFET está destinado a aplicaciones de potencia de alta eficiencia, actuando como un componente vital en diversos sistemas electrónicos. Garantiza un rendimiento constante en entornos difíciles gracias a su baja resistencia a la conexión y a su gran capacidad de disipación de energía.
Características y ventajas
• Admite hasta 70 A de corriente de drenaje continua
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V para una amplia aplicabilidad
• El diseño de modo de mejora único aumenta la eficacia operativa
• La baja resistencia de drenaje-fuente máxima de 4,8 mΩ minimiza la generación de calor
• La capacidad de disipación de potencia de 79 W optimiza la gestión térmica
• Admite oscilaciones de tensión de puerta de -20 V a +20 V para mejorar la versatilidad del accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Circuitos de alimentación en sistemas de automatización
• Control del motor en entornos industriales
• Convertidores de potencia para una gestión eficiente de la energía
• Sistemas de energía renovable para una gestión eficaz de la potencia
• Interruptor de alta corriente en electrónica
¿Cuál es el intervalo de temperatura de funcionamiento de este componente?
El rango de temperatura de funcionamiento es de -55 °C a +175 °C, lo que garantiza un funcionamiento eficaz en diversas condiciones.
¿Puede utilizarse en configuraciones paralelas?
Sí, es posible el uso en paralelo para mejorar la gestión de la corriente, siempre que se disponga de una gestión térmica adecuada.
¿Cuáles son los niveles de accionamiento de la puerta recomendados para un rendimiento óptimo?
Para un rendimiento óptimo, se aconseja accionar la puerta entre 10V y 20V, respetando los límites máximos de umbral de puerta.
¿Cómo se gestiona la disipación del calor en las aplicaciones que utilizan este dispositivo?
El uso de un disipador de calor adecuado y la correcta disposición de la placa de circuito impreso permiten gestionar eficazmente la disipación del calor.
MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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