MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP042N03LGXKSA1, VDSS 30 V, ID 70 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
145-8904
Nº ref. fabric.:
IPP042N03LGXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.57 mm

Altura

15.95mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Canal N, nivel lógico

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

RDS(on) de muy baja resistencia

Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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