MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP052N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
214-9083
Nº ref. fabric.:
IPP052N08N5AKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.45mm

Anchura

4.57 mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y IRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101. Estos MOSFET de potencia de última generación están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones.

Calificación conforme a JEDEC1 para aplicaciones de destino

100 % a prueba de avalancha

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