MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1 kV, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
906-2776P
Nº ref. fabric.:
STD4NK100Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Serie

MDmesh, SuperMESH

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.8Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.2 mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics