Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 906-4668P
Nº ref. fabric.:: STB100N6F7
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 906-4668P
Nº ref. fabric.:: STB100N6F7
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	STripFET F7
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.6mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	125W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	4.6mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.4mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie STripFET F7
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.6mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 125W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 4.6mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.4mm
	Estándar de automoción No

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics

La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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