MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
906-4668P
Nº ref. fabric.:
STB100N6F7
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET F7

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.35mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

No

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics


La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.