MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 210 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 913-3960
- Nº ref. fabric.:
- IRFB3077PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 913-3960
- Nº ref. fabric.:
- IRFB3077PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 210A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 160nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 370W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.02mm | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 210A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 160nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 370W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.02mm | ||
Longitud 10.66mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 210 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 75 V - IRFB3077PBF
Este MOSFET es un componente de electrónica de potencia de alto rendimiento adecuado para diversas aplicaciones exigentes. Diseñado con tecnología Si MOSFET, incorpora un encapsulado TO-220AB MOSFET que permite una gestión térmica eficaz. Con una corriente de drenaje continua máxima de 210 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 75 V, destaca en aplicaciones de alta corriente al tiempo que garantiza un rendimiento fiable en condiciones difíciles.
Características y ventajas
• Consigue un RDS(on) bajo de 3,3mΩ para un funcionamiento eficiente
• Diseñado para el modo de mejora, compatible con aplicaciones robustas
• La elevada disipación de potencia máxima de 370 W optimiza la longevidad del dispositivo
• La mejora de la resistencia a las avalanchas y al dV/dt dinámico garantiza la seguridad
• Capacitancia totalmente caracterizada, que mejora el rendimiento de conmutación
• Adecuado para conmutación de potencia a alta velocidad con excelente estabilidad térmica
Aplicaciones
• Utilizado en sistemas de rectificación síncrona de alta eficiencia
• Ideal para configuraciones de alimentación ininterrumpida
• Eficaz en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia
• Facilita la gestión eficiente de la energía en los sistemas de automatización industrial
• Admite varios diseños de fuentes de alimentación en electricidad y mecánica
¿Qué rango de temperatura de funcionamiento puede soportar este componente?
Funciona con fiabilidad en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que la hace adecuada para una amplia variedad de entornos.
¿En qué beneficia a la aplicación el bajo RDS(on)?
El bajo RDS(on) reduce significativamente la pérdida de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia energética y el rendimiento térmico en aplicaciones que requieren un elevado flujo de corriente.
¿Cuáles son las ventajas del formato TO-220AB?
Este formato de encapsulado garantiza una mejor disipación del calor y una instalación más sencilla, especialmente en situaciones de montaje con orificios pasantes, lo que favorece diseños de circuitos robustos.
¿Qué tipo de tensión umbral de puerta requiere?
El componente admite una tensión umbral de puerta que oscila entre 2 V y 4 V, lo que permite su compatibilidad con diversos circuitos de control.
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