MOSFET Wolfspeed C3M0280090D, VDSS 900 V, ID 11,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 915-8842
Nº ref. fabric.:: C3M0280090D
Fabricante:: Wolfspeed

MOSFET Wolfspeed C3M0280090D, VDSS 900 V, ID 11,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

34 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

4,71 €

(exc. IVA)

5,70 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 8	4,71 €	9,42 €
10 - 28	4,42 €	8,84 €
30 - 58	4,29 €	8,58 €
60 - 118	4,195 €	8,39 €
120 +	4,075 €	8,15 €

*precio indicativo

Código RS:: 915-8842
Nº ref. fabric.:: C3M0280090D
Fabricante:: Wolfspeed

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

Transistores MOSFET, Wolfspeed

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	900 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	360 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.8V
Disipación de Potencia Máxima	54 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +18 V
Material del transistor	SiC
Ancho	21.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9,5 nC a 15 V
Longitud	16.13mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	5.21mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	4.8V