MOSFET Microchip 2N7008-G, VDSS 60 V, ID 230 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 916-3721P
Nº ref. fabric.:: 2N7008-G
Fabricante:: Microchip

MOSFET Microchip 2N7008-G, VDSS 60 V, ID 230 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

1625 Disponible para entrega en 24/48 horas

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Código RS:: 916-3721P
Nº ref. fabric.:: 2N7008-G
Fabricante:: Microchip

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Transistores MOSFET de canal N 2N7008

El Microchip 2N7008 es un transistor con modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura vertical DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Características

Libre de ruptura secundaria
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo
Bajo C_ISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo fuente-sumidero integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta

Transistores MOSFET, Microchip

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TO-92
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7,5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	4.06mm
Longitud	5.08mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Tensión de diodo directa	1.5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	5.33mm