MOSFET, N-Canal Microchip, VDSS 60 V, ID 230 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 916-3721P
- Nº ref. fabric.:
- 2N7008-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 916-3721P
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- 2N7008-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 230mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | 2N7008 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.08mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.06mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 230mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie 2N7008 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.08mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.06mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistores MOSFET de canal N 2N7008
El Microchip 2N7008 es un transistor con modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura vertical DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Libre de ruptura secundaria
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo fuente-sumidero integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta