MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 68 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
917-3362P
Nº ref. fabric.:
STW70N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh M2

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-25V, +25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

118nC

Disipación de potencia máxima Pd

450W

Tensión directa Vf

0.98V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

20.15mm

Altura

5.15mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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