MOSFET Infineon IRL520NPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4870
Nº ref. fabric.:: IRL520NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRL520NPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 07/04/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 50)

0,723 €

(exc. IVA)

0,875 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	0,723 €	36,15 €
100 - 200	0,607 €	30,35 €
250 - 450	0,571 €	28,55 €
500 - 1200	0,528 €	26,40 €
1250 +	0,491 €	24,55 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-4870
Nº ref. fabric.:: IRL520NPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	LogicFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	180 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	48 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	20 nC a 5 V
Altura	8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C