MOSFET Infineon IRL520NPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4870
Nº ref. fabric.:: IRL520NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRL520NPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Disponibilidad de stock no accesible

Código RS:: 919-4870
Nº ref. fabric.:: IRL520NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	10 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
	Tipo de Encapsulado	TO-220AB
	Serie	LogicFET
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	180 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	2V
	Tensión de umbral de puerta mínima	1V
	Disipación de Potencia Máxima	48 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	20 nC a 5 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
	Material del transistor	Si
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Altura	8.77mm

	Seleccionar todo
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 10 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
	Tipo de Encapsulado TO-220AB
	Serie LogicFET
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 180 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 2V
	Tensión de umbral de puerta mínima 1V
	Disipación de Potencia Máxima 48 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -16 V, +16 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 20 nC a 5 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
	Material del transistor Si
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Altura 8.77mm

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Infineon serie LogicFET, corriente de drenaje continua máxima de 10 A, disipación de potencia máxima de 48 W - IRL520NPBF

Este MOSFET está diseñado para diversas aplicaciones de alta potencia. Su configuración de canal N y su capacidad de modo de mejora lo hacen adecuado para tareas de conmutación y amplificación en los sectores eléctrico y de automatización. Con una corriente de drenaje continua máxima de 10 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, ofrece un rendimiento constante en entornos exigentes. El tipo de encapsulado TO-220AB facilita una gestión térmica eficaz en diferentes situaciones de montaje.

Características y ventajas

• Gran capacidad de disipación de energía de 48 W para un rendimiento sólido

• La baja resistencia de drenaje-fuente de 180mΩ mejora la eficiencia

• El amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de -55 °C a +175 °C, garantiza la fiabilidad

• Adecuado para montaje pasante, lo que facilita la integración

• La tensión umbral de puerta mejorada entre 1V y 2V optimiza el control

• La configuración de un solo transistor simplifica el diseño y el montaje

Aplicaciones

• Se utiliza en circuitos de alimentación para regular eficazmente la tensión

• Se emplea en sistemas de control de motores por su gran capacidad de corriente

• Aplicable en automatización industrial para operaciones de conmutación eficaces

• Integrado en soluciones de gestión de la alimentación para diseños energéticamente eficientes

¿Qué tipo de método de refrigeración se recomienda para un rendimiento óptimo?

Un disipador térmico eficaz es esencial para mantener la eficiencia operativa y evitar el sobrecalentamiento, especialmente en condiciones de carga elevada.

¿Se puede sustituir directamente por otros MOSFET?

Aunque es posible sustituirlos directamente, es fundamental tener en cuenta especificaciones como los valores nominales de corriente y tensión, así como los requisitos de accionamiento de la puerta, para garantizar su compatibilidad y funcionalidad.

¿Cuál es la tensión máxima recomendada en la puerta de salida?

La tensión puerta-fuente máxima no debe exceder de -16V a +16V para evitar daños en el dispositivo y garantizar un funcionamiento fiable.

¿Cómo debo tratar este MOSFET durante la instalación?

Tome precauciones contra descargas electrostáticas (ESD) y asegúrese de que las conexiones son seguras para evitar fallos o un funcionamiento intermitente una vez instalado en un circuito.

¿Es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia?

Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de conmutación, pero hay que tener cuidado con la velocidad de accionamiento de la puerta y las condiciones de carga para evitar la degradación del rendimiento a frecuencias más altas.