MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 900 V, ID 3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.662,50 €

(exc. IVA)

2.012,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 19 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,665 €1.662,50 €

*precio indicativo

Código RS:
920-8868
Nº ref. fabric.:
STD3NK90ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.2 mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Enlaces relacionados