NVRAM Infineon CY14V101QS-SF108XI, 16 pines, SOIC, 1Mbit, Montaje superficial, 2,7 V a 3,6 V

Disponibilidad de stock no accesible
Código RS:
194-9095
Nº ref. fabric.:
CY14V101QS-SF108XI
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la Memoria

1Mbit

Organización

128K x 8 bits

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

SOIC

Conteo de Pines

16

Dimensiones

10.49 x 7.59 x 2.36mm

Longitud

10.49mm

Ancho

7.59mm

Altura

2.36mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3,6 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C

Número de Bits de Palabra

8bit

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Número de Palabras

128K

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2,7 V

Cypress CY14V101QS combina una NVSRAM de 1 Mbit con una interfaz QPI. El QPI permite escribir y leer la memoria en un solo canal de E/S para un bit por ciclo de reloj, doble (dos canales de E/S para dos bits por ciclo de reloj) o cuádruple (cuatro canales de E/S para cuatro bits por ciclo de reloj) mediante el uso de códigos de opción seleccionados. La memoria está organizada como 128Kbytes y consta de SRAM y células de trampa cuántica SONOS no volátiles. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que las celdas no volátiles proporcionan un almacenamiento de datos muy fiable. Las transferencias de datos de SRAM a las celdas no volátiles (funcionamiento DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar el sistema. Al encender, los datos se restauran en la SRAM desde las celdas no volátiles (operación DE RECUPERACIÓN). También puede iniciar las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN mediante instrucciones SPI.

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