NVRAM Infineon CY14V101QS-SF108XI, 16 pines, SOIC, 1Mbit, Montaje superficial, 2,7 V a 3,6 V
- Código RS:
- 194-9095
- Nº ref. fabric.:
- CY14V101QS-SF108XI
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 194-9095
- Nº ref. fabric.:
- CY14V101QS-SF108XI
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la Memoria | 1Mbit | |
| Organización | 128K x 8 bits | |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOIC | |
| Conteo de Pines | 16 | |
| Dimensiones | 10.49 x 7.59 x 2.36mm | |
| Longitud | 10.49mm | |
| Ancho | 7.59mm | |
| Altura | 2.36mm | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C | |
| Número de Bits de Palabra | 8bit | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Número de Palabras | 128K | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la Memoria 1Mbit | ||
Organización 128K x 8 bits | ||
Ancho del Bus de Datos 8bit | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOIC | ||
Conteo de Pines 16 | ||
Dimensiones 10.49 x 7.59 x 2.36mm | ||
Longitud 10.49mm | ||
Ancho 7.59mm | ||
Altura 2.36mm | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 3,6 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C | ||
Número de Bits de Palabra 8bit | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Número de Palabras 128K | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 2,7 V | ||
Cypress CY14V101QS combina una NVSRAM de 1 Mbit con una interfaz QPI. El QPI permite escribir y leer la memoria en un solo canal de E/S para un bit por ciclo de reloj, doble (dos canales de E/S para dos bits por ciclo de reloj) o cuádruple (cuatro canales de E/S para cuatro bits por ciclo de reloj) mediante el uso de códigos de opción seleccionados. La memoria está organizada como 128Kbytes y consta de SRAM y células de trampa cuántica SONOS no volátiles. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que las celdas no volátiles proporcionan un almacenamiento de datos muy fiable. Las transferencias de datos de SRAM a las celdas no volátiles (funcionamiento DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar el sistema. Al encender, los datos se restauran en la SRAM desde las celdas no volátiles (operación DE RECUPERACIÓN). También puede iniciar las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN mediante instrucciones SPI.
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