NVRAM Infineon CY14V101Q3-SFXI, 16 pines, SOIC, 1Mbit, 25ns, Montaje superficial, 3 V a 3,6 V

Cypress CY14V101Q3 combina una NVSRAM de 1 Mbit con un elemento no volátil en cada celda de memoria con interfaz SPI serie. La memoria está organizada como 128 K palabras de 8 bits cada una. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, creando una memoria no volátil fiable. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que la celda QuantumTrap proporciona un almacenamiento no volátil de datos muy fiable. Las transferencias de datos de SRAM a los elementos no volátiles (funcionamiento DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar el sistema. Al encender, los datos se restauran en la SRAM desde la memoria no volátil (operación DE RECUPERACIÓN). El usuario también puede iniciar las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN a través de la instrucción SPI.