NVRAM Infineon CY14V101Q3-SFXI, 16 pines, SOIC, 1Mbit, 25ns, Montaje superficial, 3 V a 3,6 V

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
194-9094
Nº ref. fabric.:
CY14V101Q3-SFXI
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la Memoria

1Mbit

Organización

128K x 8 bits

Tipo de Interfaz

SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

25ns

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

SOIC

Conteo de Pines

16

Dimensiones

10.49 x 7.59 x 2.36mm

Longitud

10.49mm

Ancho

7.59mm

Altura

2.36mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3,6 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C

Número de Bits de Palabra

8bit

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Número de Palabras

128K

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

3 V

COO (País de Origen):
PH
Cypress CY14V101Q3 combina una NVSRAM de 1 Mbit con un elemento no volátil en cada celda de memoria con interfaz SPI serie. La memoria está organizada como 128 K palabras de 8 bits cada una. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, creando una memoria no volátil fiable. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que la celda QuantumTrap proporciona un almacenamiento no volátil de datos muy fiable. Las transferencias de datos de SRAM a los elementos no volátiles (funcionamiento DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar el sistema. Al encender, los datos se restauran en la SRAM desde la memoria no volátil (operación DE RECUPERACIÓN). El usuario también puede iniciar las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN a través de la instrucción SPI.

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