Alliance Memory AEC-Q100 SDRAM AS4C512M8D3LC-12BANTR, 4 Gb, Superficie, Bola FBGA-78 8 bit, 78 pines

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Código RS:
425-182
Nº ref. fabric.:
AS4C512M8D3LC-12BANTR
Fabricante:
Alliance Memory
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Marca

Alliance Memory

Tipo de producto

SDRAM

Tamaño de la memoria

4Gb

Ancho del bus de datos

8bit

Número de bits por palabra

8

Frecuencia del reloj máxima

800MHZ

Tiempo de acceso aleatorio máximo

20ns

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

Bola FBGA-78

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Número de pines

78

Temperatura de funcionamiento máxima

105°C

Serie

AS4C512M8D3LC

Longitud

10.70mm

Certificaciones y estándares

JEDEC, RoHS

Altura

1.2mm

Estándar de automoción

AEC-Q100

Tensión de alimentación mínima

1.283V

Tensión de alimentación máxima

1.35V

COO (País de Origen):
TW
Esta DRAM de Alliance Memory de 4 GB con doble velocidad de datos 3 (DDR3L) cuenta con una arquitectura de doble velocidad de datos para un funcionamiento de alta velocidad. El chip está diseñado para cumplir todas las características clave de la DRAM DDR3L y todas las entradas de control y dirección están sincronizadas con un par de relojes diferenciales suministrados externamente.

Nivelación de escritura

ZQ Calibración

Conforme a RoHS

Actualización automática y autorrenovación

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