Intelligent Memory AEC-Q100 SDRAM IME1G16D3EEBG-15EI, 1 Gb, Superficie, Bola FBGA-96 16 bit, 96 pines
- Código RS:
- 588-643
- Nº ref. fabric.:
- IME1G16D3EEBG-15EI
- Fabricante:
- Intelligent Memory
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- Código RS:
- 588-643
- Nº ref. fabric.:
- IME1G16D3EEBG-15EI
- Fabricante:
- Intelligent Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Intelligent Memory | |
| Tamaño de la memoria | 1Gb | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Número de bits por palabra | 72 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 800MHZ | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 1.25ns | |
| Número de palabras | 16777216 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | Bola FBGA-96 | |
| Número de pines | 96 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Longitud | 10.5mm | |
| Serie | IME1G(08/16)D3EEB | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.575V | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.425V | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Intelligent Memory | ||
Tamaño de la memoria 1Gb | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Número de bits por palabra 72 | ||
Frecuencia del reloj máxima 800MHZ | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 1.25ns | ||
Número de palabras 16777216 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado Bola FBGA-96 | ||
Número de pines 96 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Longitud 10.5mm | ||
Serie IME1G(08/16)D3EEB | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Tensión de alimentación máxima 1.575V | ||
Tensión de alimentación mínima 1.425V | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La memoria inteligente DRAM de doble velocidad de transmisión de datos (DDR) ofrece una mayor densidad de módulos, velocidades de transmisión de datos más rápidas y menores requisitos de voltaje en comparación con los dispositivos DDR3. También admite el enmascaramiento de datos por byte en los comandos de escritura, lo que mejora la gestión de datos y la fiabilidad.
Longitud de ráfaga y latencia CAS programables
Actualización automática y autorrenovación
Nivelación de escritura
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