Alliance Memory SDRAM AS4C32M16D3-12BIN, 512 MB, Superficie, FBGA 16 bit, 96 pines
- Código RS:
- 665-381
- Nº ref. fabric.:
- AS4C32M16D3-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- Código RS:
- 665-381
- Nº ref. fabric.:
- AS4C32M16D3-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Organización | 32M x 16 | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 933MHz | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Número de pines | 96 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 13mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.425V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.575V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Organización 32M x 16 | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 933MHz | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado FBGA | ||
Número de pines 96 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 13mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Tensión de alimentación mínima 1.425V | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación máxima 1.575V | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La DRAM DDR3 de 512 Mb de Alliance Memory dispone de una arquitectura de velocidad de datos doble para un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como DRAM de ocho bancos. Está organizado como 4 Mbit x 16 bancos de E/S x 8 y admite velocidades de transferencia de velocidad de datos doble de hasta 1.866 Mbps por contacto, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones generales de alto rendimiento. El dispositivo cumple con todas las especificaciones DDR3 clave, con todas las entradas de dirección y control sincronizadas a un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura de prefijo de 8 n bits
Arquitectura interna con tuberías
Precarga y desconexión activa
Registros de modo programable y modo extendido
El tipo Burst es secuencial e Interleave
Control de impedancia de controlador de salida
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