SDRAM AS4C32M16D3-12BIN, 512Mbit, Montaje superficial, FBGA, 96 pines DDR3
- Código RS:
- 665-381
- Nº ref. fabric.:
- AS4C32M16D3-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la Memoria | 512Mbit | |
| Clase SDRAM | DDR3 | |
| Organización | 32M x 16 | |
| Ancho del Bus de Datos | 16bit | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | FBGA | |
| Conteo de Pines | 96 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la Memoria 512Mbit | ||
Clase SDRAM DDR3 | ||
Organización 32M x 16 | ||
Ancho del Bus de Datos 16bit | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado FBGA | ||
Conteo de Pines 96 | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La DRAM DDR3 de 512 Mb de Alliance Memory dispone de una arquitectura de velocidad de datos doble para un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como DRAM de ocho bancos. Está organizado como 4 Mbit x 16 bancos de E/S x 8 y admite velocidades de transferencia de velocidad de datos doble de hasta 1.866 Mbps por contacto, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones generales de alto rendimiento. El dispositivo cumple con todas las especificaciones DDR3 clave, con todas las entradas de dirección y control sincronizadas a un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura de prefijo de 8 n bits
Arquitectura interna con tuberías
Precarga y desconexión activa
Registros de modo programable y modo extendido
El tipo Burst es secuencial e Interleave
Control de impedancia de controlador de salida
Arquitectura de prefijo de 8 n bits
Arquitectura interna con tuberías
Precarga y desconexión activa
Registros de modo programable y modo extendido
El tipo Burst es secuencial e Interleave
Control de impedancia de controlador de salida
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