Alliance Memory SDRAM AS4C128M8D3B-12BIN, 1 GB, Orificio pasante, Bola FBGA-78 8 bit, 78 pines
- Código RS:
- 665-399
- Nº ref. fabric.:
- AS4C128M8D3B-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- 665-399
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- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la memoria | 1GB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Organización | 128M x 8 | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Encapsulado | Bola FBGA-78 | |
| Número de pines | 78 | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la memoria 1GB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Organización 128M x 8 | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Encapsulado Bola FBGA-78 | ||
Número de pines 78 | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La DRAM síncrona de Alliance Memory está construida sobre una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como ocho bancos. El chip de 1 Gb está organizado como 16 Mbit x 8 E/S en 8 bancos. Proporciona velocidades de transferencia de datos dobles de hasta 1600 Mb/s por contacto para aplicaciones generales. El diseño cumple los estándares de DRAM DDR3, con todas las entradas de control y dirección sincronizadas con un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
Funcionamiento completamente síncrono
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura interna con tuberías
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