SDRAM AS4C512M16D3LC-12BIN, 8Gigabyte, 800MHZ, Montaje en orificio pasante, FBGA de 96 bolas, 96 pines DDR3
- Código RS:
- 665-414
- Nº ref. fabric.:
- AS4C512M16D3LC-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- 665-414
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- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la Memoria | 8Gigabyte | |
| Clase SDRAM | DDR3 | |
| Organización | 512M X 16 | |
| Transmisión de Datos | 800MHZ | |
| Ancho del Bus de Datos | 16bit | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Encapsulado | FBGA de 96 bolas | |
| Conteo de Pines | 96 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la Memoria 8Gigabyte | ||
Clase SDRAM DDR3 | ||
Organización 512M X 16 | ||
Transmisión de Datos 800MHZ | ||
Ancho del Bus de Datos 16bit | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Encapsulado FBGA de 96 bolas | ||
Conteo de Pines 96 | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La DRAM síncrona de memoria Alliance se basa en una arquitectura de velocidad de datos doble para lograr un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como ocho bancos. La DRAM DDR3L de matriz doble de 8 Gb utiliza dos matrices DDR3L x8 de 4 Gb combinadas en un dispositivo de 2 bytes x16 en un encapsulado. Está organizado en 64 Mbit x 16 E/S en 8 bancos y admite velocidades de transferencia de datos dobles de hasta 1866 Mb/s por contacto para aplicaciones generales. El diseño cumple con los estándares DDR3L, con todas las entradas de dirección y control sincronizadas a un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
Funcionamiento completamente síncrono
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura interna con tuberías
Precarga y desconexión activa
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura interna con tuberías
Precarga y desconexión activa
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