Micron SDRAM MT41K64M16TW-107 IT:J, 1 Gb, Montaje superficial, TFBGA 16 bit, 96 pines
- Código RS:
- 696-928
- Nº ref. fabric.:
- MT41K64M16TW-107 IT:J
- Fabricante:
- Micron
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- Código RS:
- 696-928
- Nº ref. fabric.:
- MT41K64M16TW-107 IT:J
- Fabricante:
- Micron
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Micron | |
| Tamaño de la memoria | 1Gb | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 933MHZ | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | TFBGA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 96 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 8mm | |
| Serie | MT41K | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 14mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.28V | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.45V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Micron | ||
Tamaño de la memoria 1Gb | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 933MHZ | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado TFBGA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 96 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 8mm | ||
Serie MT41K | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 14mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 1.28V | ||
Tensión de alimentación máxima 1.45V | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La SDRAM DDR3 de Micron utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad. La arquitectura de doble velocidad de datos es una arquitectura prefetch 8n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los contactos de E/S. Una única operación de lectura o escritura para la SDRAM DDR3 consiste en una única transferencia de datos de 8 n bits de ancho y cuatro ciclos de reloj en el núcleo de DRAM interno y ocho transferencias de datos de n bits de ancho y medio ciclo de reloj correspondientes en los contactos de E/S.
Temperatura de refrescamiento automático
Actualización automática
Registro multiusos
Conforme a RoHS
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