Micron SDRAM MT41J128M16JT-125:K, 2 Gb, Montaje superficial, FBGA 16 bit, 96 pines
- Código RS:
- 696-929
- Nº ref. fabric.:
- MT41J128M16JT-125:K
- Fabricante:
- Micron
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- Código RS:
- 696-929
- Nº ref. fabric.:
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- Fabricante:
- Micron
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Micron | |
| Tamaño de la memoria | 2Gb | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 800MHZ | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Número de pines | 96 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Longitud | 14mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Serie | MT41J | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.43V | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.57V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Micron | ||
Tamaño de la memoria 2Gb | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 800MHZ | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado FBGA | ||
Número de pines 96 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Longitud 14mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Serie MT41J | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 1.43V | ||
Tensión de alimentación máxima 1.57V | ||
La SDRAM DDR3 de Micron utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad. La arquitectura de doble velocidad de datos es una arquitectura prefetch 8n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los contactos de E/S. Una única operación de lectura o escritura para la SDRAM DDR3 consiste en una única transferencia de datos de 8 n bits de ancho y cuatro ciclos de reloj en el núcleo de DRAM interno y ocho transferencias de datos de n bits de un ciclo de medio reloj correspondientes en los contactos de E/S.
Temperatura de refrescamiento automático
Actualización automática
Registro multiusos
Conforme a RoHS
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