Micron SDRAM MT41J128M16JT-125:K, 2 Gb, Montaje superficial, FBGA 16 bit, 96 pines
- Código RS:
- 696-929
- Nº ref. fabric.:
- MT41J128M16JT-125:K
- Fabricante:
- Micron
Subtotal (1 unidad)*
1,78 €
(exc. IVA)
2,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 50 Envío desde el 24 de diciembre de 2026
- Disponible(s) 100 unidad(es) más para enviar a partir del 31 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 + | 1,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 696-929
- Nº ref. fabric.:
- MT41J128M16JT-125:K
- Fabricante:
- Micron
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tamaño de la memoria | 2Gb | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 800MHZ | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Número de pines | 96 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Longitud | 14mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 8mm | |
| Serie | MT41J | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.575V | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.425V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tamaño de la memoria 2Gb | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 800MHZ | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado FBGA | ||
Número de pines 96 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Longitud 14mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 8mm | ||
Serie MT41J | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación máxima 1.575V | ||
Tensión de alimentación mínima 1.425V | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La SDRAM DDR3 de Micron utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad. La arquitectura de doble velocidad de datos es una arquitectura prefetch 8n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los contactos de E/S. Una única operación de lectura o escritura para la SDRAM DDR3 consiste en una única transferencia de datos de 8 n bits de ancho y cuatro ciclos de reloj en el núcleo de DRAM interno y ocho transferencias de datos de n bits de un ciclo de medio reloj correspondientes en los contactos de E/S.
Temperatura de refrescamiento automático
Actualización automática
Registro multiusos
Conforme a RoHS