Nº ref. fabric.

Winbond SDRAM, 256 MB, Superficie, TSOP 16 bit, 54 pines

Código RS:: 188-2599
Nº ref. fabric.:: W9825G6KH-6I
Fabricante:: Winbond

Winbond SDRAM, 256 MB, Superficie, TSOP 16 bit, 54 pines

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Código RS:: 188-2599
Nº ref. fabric.:: W9825G6KH-6I
Fabricante:: Winbond

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tamaño de la memoria	256MB
	Tipo de producto	SDRAM
	Ancho del bus de datos	16bit
	Número de líneas de bus	15bit
	Frecuencia del reloj máxima	200MHZ
	Número de bits por palabra	8
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	5ns
	Número de palabras	32M
	Tipo de montaje	Superficie
	Encapsulado	TSOP
	Número de pines	54
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Serie	W9825G6KH
	Altura	1.05mm
	Longitud	22.35mm
	Corriente de suministro	5mA
	Tensión de alimentación mínima	3V
	Estándar de automoción	No
	Tensión de alimentación máxima	3.6V

	Seleccionar todo
	Tamaño de la memoria 256MB
	Tipo de producto SDRAM
	Ancho del bus de datos 16bit
	Número de líneas de bus 15bit
	Frecuencia del reloj máxima 200MHZ
	Número de bits por palabra 8
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 5ns
	Número de palabras 32M
	Tipo de montaje Superficie
	Encapsulado TSOP
	Número de pines 54
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Serie W9825G6KH
	Altura 1.05mm
	Longitud 22.35mm
	Corriente de suministro 5mA
	Tensión de alimentación mínima 3V
	Estándar de automoción No
	Tensión de alimentación máxima 3.6V

Datasheet W9825G6KH-6I

The W9825G6KH is a 256M SDRAM and speed involving -5/-5I/-6/-6I/-6J/-6L/-6A/-6K/-75/75J/75L.

3.3V ± 0.3V Power Supply

Up to 200 MHz Clock Frequency

4,194,304 Words x 4 Banks x 16 Bits Organization

Self Refresh Mode: Standard and Low Power

CAS Latency: 2 and 3

Burst Length: 1, 2, 4, 8 and Full Page

Burst Read, Single Writes Mode

Byte Data Controlled by LDQM, UDQM

Power Down Mode

Auto-precharge and Controlled Precharge

8K Refresh Cycles/64 mS, @ -40 °C≦ TA / TCASE ≦ 85°C

8K Refresh Cycles/16 mS, @ 85 °C < TA / TCASE ≦ 105°C

Interface: LVTTL

Not support self refresh function with TA / TCASE > 85°C

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