SDRAM W949D6DBHX5I, 512Mbit, 200MHZ, Montaje superficial, VFBGA, 60 pines LPDDR
- Código RS:
- 188-2676P
- Nº ref. fabric.:
- W949D6DBHX5I
- Fabricante:
- Winbond
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
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| 25 - 45 | 3,13 € |
| 50 - 95 | 3,05 € |
| 100 + | 2,974 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-2676P
- Nº ref. fabric.:
- W949D6DBHX5I
- Fabricante:
- Winbond
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | |
| Tamaño de la Memoria | 512Mbit | |
| Clase SDRAM | LPDDR | |
| Organización | 64M x 8 bit | |
| Transmisión de Datos | 200MHZ | |
| Ancho del Bus de Datos | 16bit | |
| Ancho del Bus de Direcciones | 15bit | |
| Número de Bits de Palabra | 8bit | |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 5ns | |
| Número de Palabras | 64M | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | VFBGA | |
| Conteo de Pines | 60 | |
| Dimensiones | 9.1 x 8.1 x 0.65mm | |
| Altura | 0.65mm | |
| Longitud | 9.1mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 1.95 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Ancho | 8.1mm | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 1.7 V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Winbond | ||
Tamaño de la Memoria 512Mbit | ||
Clase SDRAM LPDDR | ||
Organización 64M x 8 bit | ||
Transmisión de Datos 200MHZ | ||
Ancho del Bus de Datos 16bit | ||
Ancho del Bus de Direcciones 15bit | ||
Número de Bits de Palabra 8bit | ||
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 5ns | ||
Número de Palabras 64M | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado VFBGA | ||
Conteo de Pines 60 | ||
Dimensiones 9.1 x 8.1 x 0.65mm | ||
Altura 0.65mm | ||
Longitud 9.1mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 1.95 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Ancho 8.1mm | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 1.7 V | ||
- COO (País de Origen):
- TW
This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 4M words x 4 banks x 16bits.
Burst Type: Sequential or Interleave
Standard Self Refresh Mode
PASR, ATCSR, Power Down Mode、DPD
Programmable output buffer driver strength
Four internal banks for concurrent operation
Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
Standard Self Refresh Mode
PASR, ATCSR, Power Down Mode、DPD
Programmable output buffer driver strength
Four internal banks for concurrent operation
Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver