SDRAM AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHZ, Montaje superficial, TSOP, 54 pines DDR

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Código RS:
230-8433
Nº ref. fabric.:
AS4C4M16SA-7TCN
Fabricante:
Alliance Memory
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Marca

Alliance Memory

Tamaño de la Memoria

64Mbit

Organización

4m x 16 pulg

Clase SDRAM

DDR

Transmisión de Datos

200MHZ

Ancho del Bus de Datos

16bit

Ancho del Bus de Direcciones

12bit

Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

5.4ns

Número de Palabras

4M

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

54

Dimensiones

22.35 x 10.29 x 1.2mm

Altura

1.2mm

Longitud

22.35mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

3 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3,6 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

0 °C

Ancho

10.29mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+70 °C

La SDRAM Alliance Memory 64MB es una DRAM síncrona CMOS de alta velocidad que contiene 64 Mbits. Está configurado internamente como 4 bancos de 16 canal x 1M DRAM con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Los accesos de lectura y escritura a la SDRAM están orientados a ráfagas

los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante un número programado de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando Bank Activate, seguido por un comando Read o Write.

Tiempo de acceso rápido desde el reloj: 4,5/5,4/5,4 ns
Velocidad de reloj rápida: 200/166/143 MHz
Funcionamiento completamente síncrono
Arquitectura interna de canalización
1m canales x 16 bits x 4 bancos

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