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Semiconductores Discretos

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Semiconductores Discretos
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Descripción
Detalles del producto
  • 25,23 €Unidad
Transistor, 2N2222ACSM , NPN 800 mA 40 V LCC 1, 3 pines, 250 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector800 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor40 V
  • Tipo de EncapsuladoLCC 1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte productos similares en Transistores Bipolares
  • 18,656 €
    unitario (En una bandeja de 100)
Transistor, 2N2222ACSM, NPN 800 mA 40 V LCC 1, 3 pines, 250 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector800 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor40 V
  • Tipo de EncapsuladoLCC 1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 24,90 €Unidad
Transistor, 2N2907ACSM , PNP 600 mA 60 V LCC 1, 3 pines, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector600 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor60 V
  • Tipo de EncapsuladoLCC 1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 15,714 €
    unitario (En una bandeja de 100)
Transistor, 2N2907ACSM, PNP 600 mA 60 V LCC 1, 3 pines, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector600 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor60 V
  • Tipo de EncapsuladoLCC 1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte productos similares en Transistores Bipolares
  • 29,673 €
    unitario (En una bandeja de 100)
Transistor, 2N2222ADCSM, NPN 800 mA 50 V Dual LCC 2, 6 pines, 250 MHz, Aislado
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector800 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor50 V
  • Tipo de EncapsuladoLCC 2
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 38,67 €Unidad
Transistor, 2N2222ADCSM , NPN 800 mA 50 V Dual LCC 2, 6 pines, 250 MHz, Aislado
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector800 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor50 V
  • Tipo de EncapsuladoLCC 2
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 65,91 €Unidad
JFET, 2N4392CSM , N-Canal, 40 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss25 to 75mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tensión Máxima Puerta-Fuente+40 V
  • Tensión Máxima Puerta-Drenador40V
Consulte productos similares en JFET
  • 59,922 €
    unitario (En una bandeja de 100)
JFET, 2N4392CSM, N-Canal, 40 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss25 to 75mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tensión Máxima Puerta-Fuente+40 V
  • Tensión Máxima Puerta-Drenador40V
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  • 15,88 €Unidad
MOSFET, VN10K , N-Canal-Canal, 170 mA, 60 V, 3-Pin, TO-18 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje170 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-18
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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  • 12,812 €
    unitario (En una bandeja de 30)
MOSFET, VN10K, N-Canal-Canal, 170 mA, 60 V, 3-Pin, TO-18 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje170 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-18
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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  • 23,76 €Unidad
MOSFET, D2219UK, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 8-Pin, SOIC TetraFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje2 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 208,135 €
    unitario (En una bandeja de 20)
MOSFET, D1028UK, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 70 V, 5-Pin, DR TetraFET Fuente común Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente70 V
  • Tipo de EncapsuladoDR
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
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  • 40,052 €
    unitario (En una bandeja de 25)
MOSFET, D1013UK, N-Canal-Canal, 5 A, 70 V, 3-Pin, DP TetraFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente70 V
  • Tipo de EncapsuladoDP
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
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  • 23,764 €
    unitario (En una bandeja de 50)
MOSFET, D2219UK, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 8-Pin, SOIC TetraFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje2 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 215,17 €Unidad
MOSFET, D1028UK, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 70 V, 5-Pin, DR TetraFET Fuente común Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente70 V
  • Tipo de EncapsuladoDR
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
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  • 27,52 €Unidad
Diodo, 1N5806D2A, 1A, 150V, 25ns, DLCC2, 2-Pines, Conexión de silicio
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoDLCC2
  • Corriente Continua Máxima Directa1A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico150V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 25,019 €
    unitario (En una bandeja de 100)
Diodo, 1N5806D2A, 1A, 150V, 25ns, DLCC2, 2-Pines, Conexión de silicio
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoDLCC2
  • Corriente Continua Máxima Directa1A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico150V
  • Configuración de diodoSimple
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  • 7,814 €
    unitario (En una bandeja de 50)
MOSFET, D2081UK.F, N-Canal-Canal, 200 mA, 65 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 TetraFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje200 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente65 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-223
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 119,486 €
    unitario (En una bandeja de 25)
MOSFET, D1008UK, Dual, N-Canal-Canal, 10 A, 70 V, 5-Pin, DK TetraFET Fuente común Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje10 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente70 V
  • Tipo de EncapsuladoDK
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
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  • 136,26 €Unidad
MOSFET, D1008UK, Dual, N-Canal-Canal, 10 A, 70 V, 5-Pin, DK TetraFET Fuente común Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje10 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente70 V
  • Tipo de EncapsuladoDK
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
Consulte productos similares en MOSFET
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