FET de silicio de RF con puerta de METAL, Tipo N-Canal Semelab, VDSS 65 V, ID 2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, config.

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bandeja de 50 unidades)*

2.909,20 €

(exc. IVA)

3.520,15 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bandeja*
50 +58,184 €2.909,20 €

*precio indicativo

Código RS:
177-5491
Nº ref. fabric.:
D2020UK
Fabricante:
Semelab
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Semelab

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

FET de silicio de RF con puerta de METAL

Frecuencia de Funcionamiento

1 GHz

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

65V

Potencia de salida

5W

Serie

TetraFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

65°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Configuración de transistor

Simple

Altura

2.18mm

Anchura

5.08 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

4.06mm

Ganancia de potencia típica

13dB

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
GB

Transistores MOSFET RF, Semelab


Transistores MOSFET, Semelab


Enlaces relacionados