FET de silicio de RF con puerta de METAL, Tipo N-Canal Semelab, VDSS 65 V, ID 2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, config.

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Código RS:
177-5491
Nº ref. fabric.:
D2020UK
Fabricante:
Semelab
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Marca

Semelab

Tipo de producto

FET de silicio de RF con puerta de METAL

Frecuencia de Funcionamiento

1 GHz

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Potencia de salida

5W

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

65V

Encapsulado

SOIC

Serie

TetraFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

65°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Configuración de transistor

Simple

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

4.06mm

Anchura

5.08 mm

Altura

2.18mm

Estándar de automoción

No

Ganancia de potencia típica

13dB

COO (País de Origen):
GB

Transistores MOSFET RF, Semelab


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