ROHM Transistor de potencia GNP1070TC-ZE2 20 A DFN-8080K 8 pines 750V

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264-697
Nº ref. fabric.:
GNP1070TC-ZE2
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente de Salida

20A

Número de pines

8

Encapsulado

DFN-8080K

Tiempo de caída

8.7ns

Tiempo de subida

6.9ns

Tensión de alimentación mínima

24V

Tensión de alimentación máxima

750V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-10°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Serie

GNP1070TC NA

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW
El FET de nitruro de galio (GaN) en modo E de ROHM es un HEMT de GaN de 650 V que ha alcanzado la clase FOM más alta del sector (Ron Ciss Ron Coss). Es un producto de la serie EcoGaN que contribuye a la eficiencia de la conversión de potencia y a la reducción del tamaño aprovechando al máximo la baja resistencia ON y la conmutación de alta velocidad. La función de protección ESD está integrada para un diseño de alta fiabilidad. Además, los paquetes de gran versatilidad proporcionan una excelente disipación del calor y facilitan el montaje.

fET de GaN en modo E de 650 V

70mΩ Resistencia

5,2nC Carga de puerta

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