ROHM FET de GaN GNP1150TCA-ZE2 11 A 1 8 pines 650V

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Código RS:
264-698
Nº ref. fabric.:
GNP1150TCA-ZE2
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

FET de GaN

Corriente de Salida

11A

Número de pines

8

Tiempo de caída

8.3ns

Número de Salidas

1

Tiempo de subida

5.3ns

Número de drivers

1

Tensión de alimentación máxima

650V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

900μm

Longitud

8mm

Serie

GNP1150TCA-Z NA

Anchura

8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Tipo de montaje

Superficie

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW
El FET de nitruro de galio (GaN) en modo E de ROHM es un HEMT de GaN de 650 V que ha alcanzado la clase FOM más alta del sector (Ron Ciss Ron Coss). Es un producto de la serie EcoGaN que contribuye a la eficiencia de la conversión de potencia y a la reducción del tamaño aprovechando al máximo la baja resistencia ON y la conmutación de alta velocidad. La función de protección ESD está integrada para un diseño de alta fiabilidad. Además, los paquetes de gran versatilidad proporcionan una excelente disipación del calor y facilitan el montaje.

fET de GaN en modo E de 650 V

70mΩ Resistencia

5,2nC Carga de puerta

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