onsemi MOSFET MOSFET NCP51705MNTXG 6 A 1 QFN 24 pines 22 V
- Código RS:
- 178-4643
- Nº ref. fabric.:
- NCP51705MNTXG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 178-4643
- Nº ref. fabric.:
- NCP51705MNTXG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 6A | |
| Número de pines | 24 | |
| Encapsulado | QFN | |
| Tiempo de caída | 15ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 15ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 22V | |
| Número de drivers | 1 | |
| Tensión de alimentación máxima | 22V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Longitud | 4mm | |
| Serie | NCP51705 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 6A | ||
Número de pines 24 | ||
Encapsulado QFN | ||
Tiempo de caída 15ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 15ns | ||
Tensión de alimentación mínima 22V | ||
Número de drivers 1 | ||
Tensión de alimentación máxima 22V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Longitud 4mm | ||
Serie NCP51705 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
The NCP51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losses are also minimized. For improved reliability, dV/dt immunity and even faster turn−off, the NCP51705 can utilize its on−board charge pump to generate a user selectable negative voltage rail.
Allow independent Turn-ON/Turn-OFF Adjustment
Efficient SiC MOSFET Operation during the Conduction Period
Fast Turn-off and Robust dV/dt Immunity
Minimize complexity of bias supply in isolated gate drive applications
Sufficient VGS amplitude to match SiC best performance
Self protection of the design
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