onsemi AEC-Q100 Módulo IGBT IGBT 1.9 A 2 SOIC 8 pines 20V
- Código RS:
- 221-6667
- Nº ref. fabric.:
- NCV57201DR2G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 221-6667
- Nº ref. fabric.:
- NCV57201DR2G
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente de Salida | 1.9A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de unidad | IGBT | |
| Tiempo de subida | 13ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 20V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Tensión de alimentación máxima | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente de Salida 1.9A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de unidad IGBT | ||
Tiempo de subida 13ns | ||
Tensión de alimentación mínima 20V | ||
Número de drivers 2 | ||
Tensión de alimentación máxima 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
EL on Semiconductor NCx57201 es un controlador de puerta de alta tensión con un controlador de puerta de lado bajo no aislado de− y un controlador de puerta de lado alto o bajo con aislamiento galvánico. Puede accionar directamente dos IGBT en una configuración de medio puente. El controlador de lado alto aislado se puede alimentar con una fuente de alimentación aislada o con la técnica de autocarga de la fuente de alimentación de lado bajo. El aislamiento galvánico para el controlador de puerta de lado alto garantiza una conmutación fiable en aplicaciones de alta potencia para IGBT que funcionan hasta 800 V, a DV/dt alto.
Retardo de propagación ajustado de 90 ns
Filtro de−ancho de impulso mínimo de 20 ns integrado
Señal de salida sin inversión de−
CMTI hasta 100 kV/s.
Funcionamiento fiable para oscilación negativa VS de hasta −800 V.
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