Infineon MOSFET MOSFET 3 A 2 DSO 8 pines 17V
- Código RS:
- 226-6010
- Nº ref. fabric.:
- 1EDC30I12MHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 226-6010
- Nº ref. fabric.:
- 1EDC30I12MHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 3A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | DSO | |
| Tiempo de caída | 9ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tiempo de subida | 10ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 15V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Tensión de alimentación máxima | 17V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Serie | 1EDC30I12MH | |
| Anchura | 6.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 7.6mm | |
| Altura | 2.65mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 3A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado DSO | ||
Tiempo de caída 9ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tiempo de subida 10ns | ||
Tensión de alimentación mínima 15V | ||
Número de drivers 2 | ||
Tensión de alimentación máxima 17V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Serie 1EDC30I12MH | ||
Anchura 6.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 7.6mm | ||
Altura 2.65mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 1EDCxxI12MH es un controlador IGBT de un canal con aislamiento galvánico en un encapsulado PG-DSO-8-59 que proporciona corriente de salida de hasta 3 A y un circuito de abrazadera Miller activo integrado con la misma corriente nominal para proteger contra conexión parásita. Los contactos de lógica de entrada funcionan en un amplio rango de tensión de entrada de 3 V a 15 V usando nivel de umbral CMOS escalado para admitir incluso microcontrolador de 3,3 V. La transferencia de datos a través de la barrera de aislamiento se realiza mediante la tecnología de transformador sin núcleo.
Controlador de puerta aislada de un canal
Para IGBT de 600 V/650 V/1200 V, MOSFET y MOSFET de SiC
Corriente de Peak típica de hasta 6 A en salida carril a carril
Abrazadera Miller activa
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