onsemi AEC-Q100 Módulo IGBT IGBT 6.5 A SOIC 8 pines 20V
- Código RS:
- 230-9045
- Nº ref. fabric.:
- NCD57090DDWR2G
- Fabricante:
- onsemi
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 230-9045
- Nº ref. fabric.:
- NCD57090DDWR2G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente de Salida | 6.5A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tiempo de caída | 13ns | |
| Tipo de unidad | IGBT | |
| Número de Salidas | 5 | |
| Tiempo de subida | 13ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 20V | |
| Tensión de alimentación máxima | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Serie | NCD57090 | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente de Salida 6.5A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tiempo de caída 13ns | ||
Tipo de unidad IGBT | ||
Número de Salidas 5 | ||
Tiempo de subida 13ns | ||
Tensión de alimentación mínima 20V | ||
Tensión de alimentación máxima 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Serie NCD57090 | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
LA serie ON Semiconductor NCD57090D son controladores de puerta IGBT de un canal de alta corriente con aislamiento galvánico interno de 5 kVrms, diseñados para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Los dispositivos aceptan entradas complementarias y, en función de la configuración de contactos, ofrecen opciones como abrazadera Miller activa (NCD57090D).
Mejora la eficiencia del sistema
Retardos de propagación cortos con coincidencia precisa
Mejora la integridad de la señal PWM
Alta inmunidad electromagnética y a transitorios
Resistencia en aplicaciones de conmutación de alta corriente y alta tensión de alta velocidad de subida rápida
Aislamiento galvánico en chip de 5 kVrms
Ahorra costes y espacio en la placa al tiempo que ofrece un rendimiento mejorado en comparación con los opto-drivers
Amplios rangos de tensión de polarización y rango de tensión de entrada
Ofrece flexibilidad de diseño del sistema y permite el uso de carriles de tensión de sistema disponibles habitualmente
Tensión de puerta negativa o tensión de cierre Miller activa o salidas divididas
Ofrece la opción de seleccionar la característica correcta en un encapsulado compacto
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