Driver de puerta MOSFET NCV57090FDWR2G, 6,5 A SOIC 8 pines

EL ON Semiconductor NCV57090FDWR2G es un controlador de puerta IGBT/MOSFET de un canal de alta corriente con aislamiento galvánico interno de 5 kVrms, diseñado para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Los dispositivos aceptan entradas complementarias y, en función de la configuración de contactos, ofrecen opciones como abrazadera Miller activa para mayor comodidad de diseño del sistema. Tiene una caída de tensión de abrazadera baja que elimina la necesidad de fuente de alimentación negativa para evitar el encendido de puerta falso. El controlador admite una amplia gama de niveles de señal y tensión de polarización de entrada de 3,3 V a 20 V y están disponibles en encapsulado SOIC−8 de cuerpo amplio.

Tiene alta corriente de salida Peak (+6,5 A/−6,5 A)
Proporciona retardos de propagación cortos con ajuste preciso
Ofrece fijación de puerta IGBT/MOSFET durante cortocircuito