Driver de puerta MOSFET 1ED3321MC12NXUMA1, CMOS 8,5 A PG-DSO-16 16 pines
- Código RS:
- 240-6368
- Nº ref. fabric.:
- 1ED3321MC12NXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 06/01/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio Unidad
3,19 €
(exc. IVA)
3,86 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
---|---|
1 - 9 | 3,19 € |
10 - 24 | 3,03 € |
25 - 49 | 2,97 € |
50 - 99 | 2,77 € |
100 + | 2,59 € |
- Código RS:
- 240-6368
- Nº ref. fabric.:
- 1ED3321MC12NXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Controlador de puerta aislada de canal único Infineon de 8,5 A, 5,7 kV rms con protección contra cortocircuitos, abrazadera Miller activa y desconexión suave, certificación UL 1577 y VDE 0884-11. Controlador de puerta aislada de canal único mejorado EiceDRIVERTM con corriente de salida de pico típica de fuente y disipación de +6 A a -8,5 A en un encapsulado de cuerpo ancho DSO-16 con separación de 8 mm para IGBT, MOSFET y MOSFET SiC. El 1ED3321MC12N pertenece a la familia EiceDRIVERTM Enhanced 1ED332x F3. El 1ED3321 ofrece protección contra cortocircuitos DESAT para IGBT y MOSFET SiC. El IC de controlador que implementa salidas de disipación y fuente independientes, funciona en un amplio rango de tensión de alimentación, unipolar o bipolar, y tiene un ajuste estrecho de retardo de propagación pieza a pieza.
Transformador sin núcleo aislado galvánicamente de un canal. Características de protección
integradas, como protección contra cortocircuitos DESAT, suave, abrazadera Miller activa y desconexión activa.
Para usar con los MOSFET Si y SiC de 600 V, 650 V, 1.200 V, 1.700 V, 2.300 V IGBT,
Hasta +6 A a -85 A, corriente de salida máxima típica,
40 V tensión de alimentación de salida máxima absoluta VCC2.
La alta inmunidad a transitorios de modo común CMTI es superior a 300 kV/μs
85 ns, retardo de propagación corto
IC a IC ajustado a tensión de alimentación de entrada de 15 ns máx.
33 V y 5 V VCC1
integradas, como protección contra cortocircuitos DESAT, suave, abrazadera Miller activa y desconexión activa.
Para usar con los MOSFET Si y SiC de 600 V, 650 V, 1.200 V, 1.700 V, 2.300 V IGBT,
Hasta +6 A a -85 A, corriente de salida máxima típica,
40 V tensión de alimentación de salida máxima absoluta VCC2.
La alta inmunidad a transitorios de modo común CMTI es superior a 300 kV/μs
85 ns, retardo de propagación corto
IC a IC ajustado a tensión de alimentación de entrada de 15 ns máx.
33 V y 5 V VCC1
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Logic Type | CMOS |
Corriente de Salida | 8,5 A |
Tensión de Alimentación | 3.3 → 5V |
Conteo de Pines | 16 |
Tiempo de Bajada | 20ns |
Tipo de Encapsulado | PG-DSO-16 |
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