Driver de puerta MOSFET LM5111-1M/NOPB, TTL 5 A SOIC 8 pines

Una gama de CI de controlador de puerta específicos de Texas Instruments adecuada tanto para aplicaciones MOSFET como IGBT. Los dispositivos son capaces de proporcionar salidas de corriente alta compatible con los requisitos de control de dispositivos de potencia MOSFET e IGBT y están disponibles en configuraciones y tipos de encapsulado diversos.

El controlador de puerta doble Texas Instruments sustituye a los controladores de puerta estándar del sector por una corriente de salida Peak y eficiencia mejoradas. Cada etapa de controlador de salida compuesta incluye transistores MOS y bipolares que funcionan en paralelo y que juntos disipadores de más de 5 A de Peak de cargas capacitivas. La combinación de las características únicas de los dispositivos MOS y bipolares reduce la variación de corriente de accionamiento con tensión y temperatura. También se proporciona protección de bloqueo por subtensión. Los controladores pueden funcionar en paralelo con entradas y salidas conectadas para duplicar la capacidad de corriente de accionamiento. Este dispositivo está disponible en el encapsulado SOIC o térmicamente mejorado

Acciona de forma independiente dos MOSFET de canal N.
Las salidas CMOS y bipolares compuestas reducen la variación de corriente de salida
Capacidad de disipación 5-A y corriente de fuente de 3-A.
Se pueden conectar dos canales en paralelo para doblar la corriente de accionamiento
Entradas independientes (compatible con TTL)
Tiempos de propagación rápidos (25 ns típico)
Tiempos de subida y bajada rápidos (subida y bajada de 14 ns y 12 ns, respectivamente, con carga 2-NF)
Disponible en configuraciones de combinación, inversión doble y sin inversión doble
Protección de bloqueo por subtensión (UVLO) de carril de alimentación ƒ
LM5111-4 UVLO configurado para accionar PFET a través DE OUT_A y NFET a través DE OUT_B.
Contactos compatibles con controladores de puerta estándar del sector

Controladores MOSFET e IGBT, Texas Instruments