Fotodiodo PIN G6849-01 Hamamatsu Photonics G6849, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante, encapsulado

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Código RS:
482-416
Nº ref. fabric.:
G6849-01
Fabricante:
Hamamatsu Photonics
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Marca

Hamamatsu Photonics

Tipo de producto

Fotodiodo PIN

Espectros detectados

Infrarrojo

Longitud de onda de sensibilidad máxima

1550nm

Encapsulado

TO-5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

8

Mínima longitud de onda detectada

0.9μm

Máxima longitud de onda detectada

1.7μm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

5.84 mm

Diámetro

9.1 mm

Corriente residual

5nA

Estándar de automoción

No

Serie

G6849

COO (País de Origen):
JP
La matriz de fotodiodos PIN InGaAs de Hamamatsu Photonics es un detector de infrarrojos de alto rendimiento diseñado para aplicaciones que requieren una detección precisa de la posición del punto luminoso. Presenta una zona fotosensible de tipo cuadrante.

Elemento cuadrante de 1 mm

Poco ruido

Alta fiabilidad

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