Fotodiodo G6849 Hamamatsu Photonics G6849, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-5

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Código RS:
482-435
Nº ref. fabric.:
G6849
Fabricante:
Hamamatsu Photonics
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Marca

Hamamatsu Photonics

Espectros detectados

Infrarrojo

Tipo de producto

Fotodiodo

Longitud de onda de sensibilidad máxima

1550nm

Encapsulado

TO-5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

8

Mínima longitud de onda detectada

0.9μm

Máxima longitud de onda detectada

1.7μm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Diámetro

13 mm

Serie

G6849

Corriente residual

5nA

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
JP
La matriz de fotodiodos PIN InGaAs de Hamamatsu Photonics diseñada específicamente para la detección de infrarrojos. Presenta un área fotosensible de tipo cuadrante que garantiza un rendimiento preciso y fiable. Funciona dentro de un rango de respuesta espectral definido y es adecuado para la detección de la posición de puntos luminosos y otros equipos de medición.

Poco ruido

Alta fiabilidad

Encapsulados metálicos

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