Fotodiodo de silicio Vishay, IR, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. superficial, encapsulado QFN de 4 pines

VEMD5080X01 es un fotodiodo PIN de alta sensibilidad y alta velocidad con sensibilidad mejorada para luz visible. Se trata de un dispositivo de montaje en superficie (SMD) de perfil bajo, incluido el chip con un área sensible de 7,5 mm2 de detección de radiación de infrarrojos visible y cercana.

Tipo de encapsulado: montaje en superficie
Formato de encapsulado: vista superior
Dimensiones (Long. x Anch. x Alt. en mm): 5 x 4 x 0,9
Área sensible a radiación (en mm2): 7,5
Certificación AEC-Q101
Sensibilidad mejorada para luz visible
Adecuado para radiación por infrarrojos cercana y visible
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: ϕ = ± 65 °
Vida útil del piso: 72 h, MSL 4, conforme a J-STD-020
APLICACIONES:
Fotodetector de alta velocidad