Fotodiodo de silicio Vishay, IR, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. superficial, encapsulado Ala Inversa de 2 pines
- Código RS:
- 768-9401
- Nº ref. fabric.:
- VBPW34FASR
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Precio unitario (En una bolsa de 5)**
0,798 €
(exc. IVA)
0,966 €
(inc.IVA)
1645 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*
* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Unidades | Por unidad | Por Bolsa** |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,798 € | 3,99 € |
| 50 - 120 | 0,48 € | 2,40 € |
| 125 - 245 | 0,448 € | 2,24 € |
| 250 - 495 | 0,416 € | 2,08 € |
| 500 + | 0,382 € | 1,91 € |
**precio indicativo
- Código RS:
- 768-9401
- Nº ref. fabric.:
- VBPW34FASR
- Fabricante:
- Vishay
Enlaces relacionados
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado...
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 940nm encapsulado...
- Fotodiodo Vishay mont. superficial, encapsulado Ala Inversa de 2 pines
- Fotodiodo de silicio Vishay BP1 λ sensibilidad máx. 950nm, mont....
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado...
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado...
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado...
- Fotodiodo de silicio Vishay BPW λ sensibilidad máx. 950nm, mont....