Fotodiodo de silicio Vishay, IR, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. superficial, encapsulado Ala Inversa de 2 pines
- Código RS:
- 165-3018
- Nº ref. fabric.:
- VBPW34FASR
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)**
0,456 €
(exc. IVA)
0,552 €
(inc.IVA)
1645 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*
* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Unidades | Por unidad | Por Carrete** |
---|---|---|
1000 - 1000 | 0,456 € | 456,00 € |
2000 + | 0,447 € | 447,00 € |
**precio indicativo
- Código RS:
- 165-3018
- Nº ref. fabric.:
- VBPW34FASR
- Fabricante:
- Vishay
Enlaces relacionados
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado...
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 940nm encapsulado...
- Fotodiodo Vishay mont. superficial, encapsulado Ala Inversa de 2 pines
- Fotodiodo de silicio Vishay BP1 λ sensibilidad máx. 950nm, mont....
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado...
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado...
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado...
- Fotodiodo de silicio Vishay BPW λ sensibilidad máx. 950nm, mont....