Fotodiodo de silicio Vishay, IR, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. superficial, encapsulado Ala Inversa de 2 pines

Código RS:: 165-3018
Nº ref. fabric.:: VBPW34FASR
Fabricante:: Vishay

Fotodiodo de silicio Vishay, IR, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. superficial, encapsulado Ala Inversa de 2 pines

1995 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

0,456 €

(exc. IVA)

0,552 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 - 1000	0,456 €	456,00 €
2000 +	0,447 €	447,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-3018
Nº ref. fabric.:: VBPW34FASR
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Fotodiodos PIN serie VBPW34

La serie VBPW34 de Vishay Semiconductor es una familia de fotodiodos PIN de silicio de montaje superficial (SMD). Tienen tipos de cable en ala de gaviota o ala de gaviota invertida. La serie VBPW34 es adecuada para detectores de IR de alta velocidad, mando a distancia de infrarrojos y transmisión de datos inalámbrica.

Características de los fotodiodos PIN VBPW34:
Encapsulado negro de montaje superficial (SMD)
Cables GW o RGW
Dimensiones: 6,4 x 3,9 x 1,2 mm
Área sensible a la radiación: 7,5 mm²
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 65 °

Fotodiodos de infrarrojos, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Espectros Detectados	Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico	950nm
Encapsulado	Ala Inversa
Función de amplificador	No
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Número de Pines	2
Material del Diodo	Si
Mínima Longitud de Onda Detectada	780nm
Máxima Longitud de Onda Detectada	1050nm
Longitud	4.4mm
Anchura	3.9mm
Altura	1.2mm