Fotodiodo de silicio Vishay, IR, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. pasante, encapsulado Side Looker de 2 pines
- Código RS:
- 165-2633
- Nº ref. fabric.:
- BPW41N
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bolsa de 1000 unidades)*
362,00 €
(exc. IVA)
438,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bolsa* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,362 € | 362,00 € |
| 2000 + | 0,351 € | 351,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-2633
- Nº ref. fabric.:
- BPW41N
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Espectros Detectados | Infrarrojo | |
| Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico | 950nm | |
| Encapsulado | Side Looker | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Función de amplificador | No | |
| Número de Pines | 2 | |
| Material del Diodo | Si | |
| Mínima Longitud de Onda Detectada | 870nm | |
| Máxima Longitud de Onda Detectada | 1050nm | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 3mm | |
| Altura | 6.4mm | |
| Polaridad | Directo | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Espectros Detectados Infrarrojo | ||
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico 950nm | ||
Encapsulado Side Looker | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Función de amplificador No | ||
Número de Pines 2 | ||
Material del Diodo Si | ||
Mínima Longitud de Onda Detectada 870nm | ||
Máxima Longitud de Onda Detectada 1050nm | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 3mm | ||
Altura 6.4mm | ||
Polaridad Directo | ||
- COO (País de Origen):
- PH
Fotodiodos PIN de la serie BPW41N
La serie BPW41N de Vishay Semiconductor es una familia de fotodiodos PIN de silicio. Se encuentran alojados en un encapsulado con recepción lateral (SL) con lente de plástico negro y filtro de luz diurna. Las aplicaciones adecuadas para el BPW41N incluyen: detectores de radiación de infrarrojos, control remoto por infrarrojos y sistemas de transmisión aérea de datos. El BPW41N puede utilizarse en combinación con los emisores de infrarrojos de la serie TSAL.
Características del fotodiodo PIN BPW41N:
Encapsulado de plástico negro con recepción lateral
Montaje de orificio pasante
Dimensiones: 5 x 4 x 6,8 mm
Área sensible a la radiación: 7,5 mm²
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 65 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
Fotodiodos de infrarrojos, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado Side Looker de 2 pines
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 940nm encapsulado Side Looker de 2 pines
- Fotodiodo de silicio Vishay BP1 λ sensibilidad máx. 950nm, mont. pasante de 2 pines
- LED IR Sharp de LEDs 1 encapsulado Side Looker de 2 pines, mont. pasante
- LED IR Sharp 3mW encapsulado Side Looker de 2 pines, mont. pasante
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado 1206 de 3 pines
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado GW de 2 pines
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 950nm encapsulado QFN de 4 pines
