Nº ref. fabric.

Fotodiodo Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado GW de 2 pines

Código RS:: 165-3014
Nº ref. fabric.:: VBP104FAS
Fabricante:: Vishay

Fotodiodo Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Superficie, encapsulado GW de 2 pines

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Código RS:: 165-3014
Nº ref. fabric.:: VBP104FAS
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Espectros detectados	Infrarrojo
	Tipo de producto	Fotodiodo
	Longitud de onda de sensibilidad máxima	950nm
	Encapsulado	GW
	Embalaje y empaquetado	Cinta y carrete
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	2
	Mínima longitud de onda detectada	780nm
	Máxima longitud de onda detectada	1050nm
	Tiempo de caída típico	80ns
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Amplificado	No
	Temperatura de funcionamiento máxima	100°C
	Altura	1.2mm
	Longitud	4.4mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	3.9mm
	Ángulo de media sensibilidad	65 °
	Tiempo de subida típico	80ns
	Tensión de circuito abierto	350mV
	Corriente residual	2nA
	Corriente de cortocircuito	50μA
	Tensión de ruptura	60V
	Polaridad	Adelante
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Espectros detectados Infrarrojo
	Tipo de producto Fotodiodo
	Longitud de onda de sensibilidad máxima 950nm
	Encapsulado GW
	Embalaje y empaquetado Cinta y carrete
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 2
	Mínima longitud de onda detectada 780nm
	Máxima longitud de onda detectada 1050nm
	Tiempo de caída típico 80ns
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Amplificado No
	Temperatura de funcionamiento máxima 100°C
	Altura 1.2mm
	Longitud 4.4mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 3.9mm
	Ángulo de media sensibilidad 65 °
	Tiempo de subida típico 80ns
	Tensión de circuito abierto 350mV
	Corriente residual 2nA
	Corriente de cortocircuito 50μA
	Tensión de ruptura 60V
	Polaridad Adelante
	Estándar de automoción AEC-Q101

Fotodiodos PIN de la serie VBP104

Fotodiodos de infrarrojos, Vishay Semiconductor

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